SQS840EN-T1_GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (122 Bewertungen)

SQS840EN-T1_GE3

Produktübersicht

12786865

Teilenummer

SQS840EN-T1_GE3-DG
SQS840EN-T1_GE3

Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8

Inventar

1863 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 40 V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Menge
Mindestens 1

Kauf und Anfrage

Anfrage für Angebote

Sie können Ihre RFQ-Anfrage direkt auf der Produktdetailseite oder der RFQ-Seite einreichen. Unser Vertriebsteam wird innerhalb von 24 Stunden auf Ihre Anfrage reagieren.

Zahlungsmethode

Wir bieten mehrere bequeme Zahlungsmethoden an, darunter PayPal (empfohlen für Neukunden), Kreditkarten und Überweisungen (T/T) in USD, EUR, HKD und anderen Währungen.

WICHTIGER HINWEIS

Nachdem Sie die RFQ gesendet haben, erhalten Sie eine E-Mail in Ihrem Posteingang über den Erhalt Ihrer Anfrage. Wenn Sie sie nicht erhalten, könnte unsere E-Mail-Adresse als Spam fehlidentifiziert worden sein. Bitte überprüfen Sie Ihren Spam-Ordner und fügen Sie unsere E-Mail-Adresse [email protected] zu Ihrer Whitelist hinzu, um sicherzustellen, dass Sie unser Angebot erhalten. Aufgrund möglicher Schwankungen bei Lagerbeständen und Preisen muss unser Vertriebsteam Ihre Anfrage oder Bestellung erneut bestätigen und Ihnen zeitnah per E-Mail Updates senden. Wenn Sie weitere Fragen haben oder zusätzliche Hilfe benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen.

Auf Lager (Alle Preise sind in USD)
  • Menge Zielpreis Gesamtpreis
  • 3000 3.3500 10050.0000
  • 6000 3.3500 20100.0000
  • 9000 3.3500 30150.0000
  • 30000 3.3500 100500.0000
Besserer Preis durch Online-Anfrage
Angebot anfordern(Versendet morgen)
Menge
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden

SQS840EN-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller Vishay

Verpackung Tape & Reel (TR)

Reihe TrenchFET®

Produktstatus Active

FET-Typ N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss) 40 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 12A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an) 4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22.5 nC @ 10 V

Vgs (Max) ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 1031 pF @ 20 V

FET-Funktion -

Verlustleistung (max.) 33W (Tc)

Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)

Grad Automotive

Qualifikation AEC-Q101

Art der Montage Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten PowerPAK® 1212-8

Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8

Basis-Produktnummer SQS840

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

SQS840EN

HTML-Datenblatt

SQS840EN-T1_GE3-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQS840EN-T1_GE3DKR
SQS840EN-T1_GE3TR
SQS840EN-T1_GE3CT
SQS840EN-T1-GE3
SQS840EN-T1_GE3-DG

Alternative Modelle

Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
SQS840EN-T1_BE3
Vishay Siliconix
5968
SQS840EN-T1_BE3-DG
0.2900
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Blogs & Beiträge