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SQS840EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
2930 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 40 V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SQS840EN-T1_GE3
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12786865
Teilenummer
SQS840EN-T1_GE3-DGHersteller
Vishay Siliconix
SQS840EN-T1_GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8Inventar
2930 Stück Neu Original Auf Lager
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SQS840EN-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1031 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SQS840
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SQS840EN
HTML-Datenblatt
SQS840EN-T1_GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQS840EN-T1_GE3DKR
SQS840EN-T1_GE3TR
SQS840EN-T1_GE3CT
SQS840EN-T1-GE3
SQS840EN-T1_GE3-DG
Alternative Teile
Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
Reviews
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Dec 02, 2025
我遇到的商品品質都非常優良，從未有過差強人意的情況，值得推薦！
Dec 02, 2025
The environmentally conscious packaging is a big plus, and the delivery was punctual and reliable.
Dec 02, 2025
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Was sind die Hauptmerkmale des Vishay SQS840EN-T1_GE3 MOSFETs?
Der Vishay SQS840EN-T1_GE3 ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V, einem Dauer-Drainstrom von 12 A und einem niedrigen Rds On von 20 mΩ bei 10 V Vgs. Er ist für hoch effiziente Schaltanwendungen konzipiert, verfügt über ein PowerPAK® 1212-8-Gehäuse und ist für den automobilen Einsatz geeignet.
Ist der Vishay SQS840EN-T1_GE3 MOSFET mit Automobilanwendungen kompatibel?
Ja, dieser MOSFET ist gemäß dem AEC-Q101-Standard für den automobilen Einsatz qualifiziert, was Zuverlässigkeit und Leistung in Automobil elektronik und Stromversorgungssystemen gewährleistet.
Wofür wird der PowerPAK® 1212-8 SQS840EN-T1_GE3 MOSFET typischerweise eingesetzt?
Dieser MOSFET ist ideal für Leistungsschaltungen, Lastschaltungen, Motorsteuerung und DC/DC-Konvertierung in verschiedenen elektronischen Geräten, insbesondere dort, wo kompakte Größe und hohe Effizienz gefordert sind.
Wie wähle ich die richtige Gatespannung für diesen MOSFET aus?
Der SQS840EN-T1_GE3 kann bei maximal 10 V Vgs betrieben werden, um die optimale Rds On-Leistung zu erzielen, mit einer typischen Gate-Ladung von 22,5 nC bei 10 V, was ihn für gängige Logiktreiber geeignet macht.
Wie sind die Garantie und Verfügbarkeit des Vishay SQS840EN-T1_GE3 MOSFETs?
Das Produkt ist auf Lager, mit über 2.700 verfügbaren Einheiten. Es handelt sich um ein neues, originales Produkt, das durch Vishays Qualitätsstandards unterstützt wird, was zuverlässige Leistung und Support garantiert.
Qualitätssicherung (QC)
DiGi stellt die Qualität und Echtheit jedes elektronischen Bauteils durch professionelle Inspektionen und Chargenproben sicher. Es garantiert eine zuverlässige Beschaffung, stabile Leistung und die Einhaltung technischer Spezifikationen, wodurch Kunden Versorgungskettenrisiken reduzieren und die Komponenten mit Vertrauen in die Produktion verwenden können.
SQS840EN-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQS840EN-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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