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SQS462EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
3905 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 60 V 8A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SQS462EN-T1_GE3
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12786472
Teilenummer
SQS462EN-T1_GE3-DGHersteller
Vishay Siliconix
SQS462EN-T1_GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8Inventar
3905 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 60 V 8A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SQS462EN-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
470 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SQS462
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SQS462EN
HTML-Datenblatt
SQS462EN-T1_GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQS462EN-T1_GE3DKR
SQS462EN-T1-GE3
SQS462EN-T1-GE3-DG
SQS462EN-T1_GE3CT
SQS462EN-T1_GE3-DG
SQS462EN-T1_GE3TR
Reviews
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Dec 02, 2025
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Was sind die wichtigsten Merkmale und Spezifikationen des Vishay N-Kanal MOSFET (SQS462EN-T1_GE3)?
Dieser MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60V, einen Dauer-Drain-Strom von 8A und ist in einem PowerPAK® 1212-8-Gehäuse mit einem maximalen Rds On von 63mΩ bei 10V Vgs erhältlich. Er ist für hohe Effizienz und zuverlässige Leistung in Leistungsumschaltanwendungen konzipiert.
Ist dieser Vishay MOSFET für automotive Anwendungen geeignet und welche Zertifizierungen besitzt er?
Ja, dieser MOSFET ist für den Einsatz im Automobilbereich entwickelt und erfüllt den AEC-Q101 Qualitätsstandard, was Langlebigkeit und Zuverlässigkeit unter automobilischen Bedingungen gewährleistet.
Was sind die typischen Einsatzgebiete des Vishay SQS462EN-T1 MOSFET in elektronischen Schaltungen?
Dieser N-Kanal MOSFET ist ideal für Energiemanagement, Schaltnetzteile, Motorsteuerung und andere effizienzorientierte Leistungsanwendungen mit niedrigem Rds On und hoher Strombelastbarkeit.
Kann ich diesen MOSFET mit herkömmlichen PCB-Montagetechniken verwenden? Wie ist seine Verpackung und Bauform?
Ja, der MOSFET verfügt über ein Surface Mount PowerPAK® 1212-8-Gehäuse, geeignet für SMT-Bestückungsprozesse, und bietet ein kompaktes Design für eine effiziente Integration auf der Leiterplatte.
Wie sieht es mit Garantie, Verfügbarkeit und Support für dieses Vishay MOSFET-Produkt aus?
Das Produkt ist mit über 3.500 verfügbaren Einheiten lagernd. Als Originalvishay-Komponente wird es vom Hersteller unterstützt und entspricht den RoHS3-Standards für eine umweltfreundliche Verwendung.
Qualitätssicherung (QC)
DiGi stellt die Qualität und Echtheit jedes elektronischen Bauteils durch professionelle Inspektionen und Chargenproben sicher. Es garantiert eine zuverlässige Beschaffung, stabile Leistung und die Einhaltung technischer Spezifikationen, wodurch Kunden Versorgungskettenrisiken reduzieren und die Komponenten mit Vertrauen in die Produktion verwenden können.
SQS462EN-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQS462EN-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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