SQS462EN-T1_GE3 Vishay Siliconix
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SQS462EN-T1_GE3

Produktübersicht

12786472

Teilenummer

SQS462EN-T1_GE3-DG

Hersteller

Vishay Siliconix
SQS462EN-T1_GE3

Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8

Inventar

8893 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 60 V 8A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Einzel-FETs, MOSFETs
SQS462EN-T1_GE3 Datenblatt
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Mindestens 1

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SQS462EN-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller Vishay

Verpackung Tape & Reel (TR)

Reihe TrenchFET®

Produktstatus Active

FET-Typ N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss) 60 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 8A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an) 4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 4.3A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V

Vgs (Max) ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 470 pF @ 25 V

FET-Funktion -

Verlustleistung (max.) 33W (Tc)

Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)

Grad Automotive

Qualifikation AEC-Q101

Art der Montage Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten PowerPAK® 1212-8

Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8

Basis-Produktnummer SQS462

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Herunterladen SQS462EN-T1_GE3 Produktspezifikation (PDF)
Datenblätter

SQS462EN
HTML-Datenblatt

SQS462EN-T1_GE3-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
REACH-Status Vendor Undefined
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQS462EN-T1_GE3DKR
SQS462EN-T1-GE3
SQS462EN-T1-GE3-DG
SQS462EN-T1_GE3CT
SQS462EN-T1_GE3-DG
SQS462EN-T1_GE3TR
DIGI-Zertifizierung
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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