SQ3419EV-T1_BE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
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SQ3419EV-T1_BE3 Vishay Siliconix
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SQ3419EV-T1_BE3

Produktübersicht

12939436

Teilenummer

SQ3419EV-T1_BE3-DG
SQ3419EV-T1_BE3

Beschreibung

MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP

Inventar

3400 Stück Neu Original Auf Lager
P-Channel 40 V 6.9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
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SQ3419EV-T1_BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller Vishay

Verpackung Tape & Reel (TR)

Reihe TrenchFET®

Produktstatus Last Time Buy

FET-Typ P-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss) 40 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 6.9A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an) 4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 2.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 4.5 V

Vgs (Max) ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 990 pF @ 20 V

FET-Funktion -

Verlustleistung (max.) 5W (Tc)

Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)

Grad Automotive

Qualifikation AEC-Q101

Art der Montage Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten 6-TSOP

Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Basis-Produktnummer SQ3419

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

SQ3419EV

HTML-Datenblatt

SQ3419EV-T1_BE3-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
REACH-Status REACH Unaffected
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SQ3419EV-T1_BE3TR
742-SQ3419EV-T1_BE3DKR
742-SQ3419EV-T1_BE3CT

Alternative Modelle

Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
SQ3419EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
16765
SQ3419EV-T1_GE3-DG
0.2023
Parametric Equivalent

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Was sind die wichtigsten Merkmale des Vishay SQ3419EV-T1_BE3 P-Kanal-MOSFETs?
Der Vishay SQ3419EV-T1_BE3 ist ein Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET mit einer Spannungsfestigkeit von 40 V, einem kontinuierlichen Drain-Strom von 6,9 A und einem niedrigen Rds On von 58 mΩ. Er eignet sich für verschiedene elektronische Anwendungen, insbesondere für die Automotive-Elektronik. Das Bauteil verfügt über ein Oberflächenmontage-Paket im TSOP-6-Format und nutzt fortschrittliche Trench-Technologie für effizientes Schalten.
Ist der Vishay SQ3419EV-T1_BE3 MOSFET für Automotive-Anwendungen geeignet?
Ja, dieser MOSFET ist speziell für den Einsatz im Automotive-Bereich ausgelegt und erfüllt die Anforderungen des AEC-Q101-Standards, was Zuverlässigkeit und Robustheit in Fahrzeugumgebungen garantiert. Sein temperaturoffen Bereich von -55 °C bis 175 °C macht ihn ideal für Fahrzeugelektronik.
Welche Kompatibilität und Ansteuerspannung sollte ich für den Vishay SQ3419EV-T1_BE3 MOSFET berücksichtigen?
Dieser P-Kanal-MOSFET arbeitet mit einer maximalen Vgs von ±20 V und benötigt eine Ansteuerspannung von 4,5 V bis 10 V für optimale Rds On-Werte. Er ist kompatibel mit gängigen Gate-Ansteuerspannungen in der Leistungsverwaltung.
Welche Vorteile bietet die Verwendung des Vishay TrenchFET® SQ3419EV-T1_BE3 in meinem Design?
Die TrenchFET®-Technologie sorgt für einen niedrigen Rds On-Wert, was eine effiziente Stromleitung ermöglicht, die Wärmeentwicklung reduziert und die Gesamteffizienz der Schaltung steigert. Das kompakte Oberflächenmontage-Paket erleichtert die Montage und spart Leiterplattenplatz.
Wie kann ich den Vishay SQ3419EV-T1_BE3 MOSFET erwerben und welchen After-Sales-Support bietet Vishay?
Der SQ3419EV-T1_BE3 ist auf Lager mit 4011 Stück verfügbar und wird im Tape & Reel-Verfahren ausgeliefert. Vishay bietet zuverlässigen Support sowie umfassende Dokumentation. Das Gerät gilt als Last-Time-Buy-Produktion, was die Beschaffung einschränkt. Für weitere Unterstützung kontaktieren Sie autorisierte Händler oder Vishay direkt.
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