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SIR872ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
23100 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 150 V 53.7A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR872ADP-T1-GE3
Produktübersicht
12786866
Teilenummer
SIR872ADP-T1-GE3-DGHersteller
Vishay Siliconix
SIR872ADP-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8Inventar
23100 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 150 V 53.7A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR872ADP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
53.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1286 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR872
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SIR872ADP
HTML-Datenblatt
SIR872ADP-T1-GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIR872ADP-T1-GE3CT
SIR872ADP-T1-GE3TR
SIR872ADP-T1-GE3DKR
Alternative Modelle
Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
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Dec 02, 2025
I received my order in perfect condition thanks to careful handling.
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Dec 02, 2025
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Was sind die wichtigsten Merkmale des Vishay SIR872ADP-T1-GE3 N-Kanal MOSFET?
Der Vishay SIR872ADP-T1-GE3 ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 150 V und einem kontinuierlichen Drainstrom von 53,7 A. Er verfügt über ein PowerPAK® SO-8 Gehäuse, eine niedrige Rds On von 18 mΩ und eignet sich für Oberflächenmontageanwendungen mit hoher Effizienz und thermischer Leistung.
Wofür wird der SIR872ADP-T1-GE3 MOSFET typischerweise verwendet?
Dieser MOSFET ist ideal für Schaltvorgänge, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler und andere Hochspannungs-, Hochstromanwendungen, die zuverlässige und effiziente Energieverwaltung erfordern.
Ist der Vishay SIR872ADP-T1-GE3 mit gängigen Schaltungskonzepten kompatibel?
Ja, das Bauteil ist mit einer Treiberspannung von 10 V und standardmäßigen Gehäusen wie PowerPAK® SO-8 konzipiert, was die Kompatibilität mit den meisten Oberflächenmontage-PCB-Layouts und Treiberschaltungen gewährleistet.
Welche Vorteile bietet die Verwendung dieses MOSFETs gegenüber anderen Modellen?
Der SIR872ADP-T1-GE3 bietet eine niedrige Rds On, hohe Stromtragfähigkeit, ausgezeichnete thermische Dissipation und erfüllt RoHS3-Standards, was hohe Effizienz und Umweltschutz in der Leistungselektronik sicherstellt.
Wo kann ich den Vishay SIR872ADP-T1-GE3 MOSFET kaufen und wie ist die Garantie?
Dieses MOSFET ist bei autorisierten Händlern auf Lager erhältlich, in Mengen von 19.147 Stück, und wird als neu und original angeboten. Für detaillierte Garantie- und After-Sales-Informationen kontaktieren Sie bitte direkt Ihren Händler.
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