SIR516DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
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SIR516DP-T1-RE3

Produktübersicht

12968163

Teilenummer

SIR516DP-T1-RE3-DG
SIR516DP-T1-RE3

Beschreibung

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

Inventar

500300 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR516DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen

Kategorie FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller Vishay

Verpackung Tape & Reel (TR)

Reihe TrenchFET®

Produktstatus Active

FET-Typ N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss) 100 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an) 7.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V

Vgs (Max) ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 1920 pF @ 50 V

FET-Funktion -

Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 71.4W (Tc)

Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten PowerPAK® SO-8

Paket / Koffer PowerPAK® SO-8

Datenblatt & Dokumente

HTML-Datenblatt

SIR516DP-T1-RE3-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
REACH-Status REACH Unaffected
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIR516DP-T1-RE3CT
742-SIR516DP-T1-RE3TR
742-SIR516DP-T1-RE3DKR

Alternative Modelle

Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
RS6P100BHTB1
Rohm Semiconductor
2725
RS6P100BHTB1-DG
1.3500
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