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SIR516DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
500194 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR516DP-T1-RE3
Produktübersicht
12968163
Teilenummer
SIR516DP-T1-RE3-DGHersteller
Vishay Siliconix
SIR516DP-T1-RE3
Beschreibung
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWInventar
500194 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR516DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1920 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
HTML-Datenblatt
SIR516DP-T1-RE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIR516DP-T1-RE3CT
742-SIR516DP-T1-RE3TR
742-SIR516DP-T1-RE3DKR
Alternative Teile
Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
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Dec 02, 2025
J’ai été agréablement surpris par la vitesse de livraison et la sécurité de l’emballage.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Was sind die Hauptmerkmale des Vishay SIR516DP-T1-RE3 MOSFET?
Der Vishay SIR516DP-T1-RE3 ist ein N-Kanal-Surface-Mount-MOSFET mit einer Spannungsbewertung von 100V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 16,8A bei 25 °C. Er verfügt über einen niedrigen Rds On von 8 mΩ bei 10A, wodurch er sich für hochleistungsfähige Stromversorgungslösungen eignet. Das Bauteil ist im PowerPAK® SO-8 Gehäuse verpackt, was die Oberflächenmontage und die Wärmeableitung erleichtert.
Für welche Anwendungen ist dieser 100V MOSFET geeignet?
Dieser 100V N-Kanal-MOSFET eignet sich ideal für das Energie-Management, Schaltnetzteile, Motorsteuerungen und andere elektronische Schaltungen mit hohen Strömen, die eine effiziente Schaltung und geringe Wärmeentwicklung erfordern. Seine hohe Strombelastbarkeit macht ihn ideal für leistungsintensive Anwendungen.
Ist der Vishay SIR516DP-T1-RE3 mit Standard-PCB-Designs kompatibel?
Ja, das Bauteil wird im PowerPAK® SO-8 Gehäuse geliefert, einem gängigen Oberflächenmontage-Gehäuse, das mit Standard-PCB-Layouts kompatibel ist. Es ist für eine einfache Integration in bestehende und neue Schaltungen konzipiert.
Welche Vorteile bietet die Verwendung dieses MOSFETs gegenüber traditionellen Silizium-Transistoren?
Dieser MOSFET bietet einen niedrigeren Rds On, höhere Effizienz und bessere Schaltleistung im Vergleich zu traditionellen Silizium-Transistoren. Seine geringe Gate-Ladung und hohe Stromkapazität helfen dabei, Energieverluste zu minimieren und die thermische Verwaltung zu vereinfachen.
Wie kann ich den Vishay SIR516DP-T1-RE3 MOSFET erwerben und Unterstützung erhalten?
Der Vishay SIR516DP-T1-RE3 ist bei weltweiten Händlern auf Lager verfügbar. Für technischen Support oder Garantieanfragen wenden Sie sich an autorisierte Vishay-Händler oder konsultieren Sie das Datenblatt des Produkts für detaillierte Spezifikationen und Handhabungshinweise.
Qualitätssicherung (QC)
DiGi stellt die Qualität und Echtheit jedes elektronischen Bauteils durch professionelle Inspektionen und Chargenproben sicher. Es garantiert eine zuverlässige Beschaffung, stabile Leistung und die Einhaltung technischer Spezifikationen, wodurch Kunden Versorgungskettenrisiken reduzieren und die Komponenten mit Vertrauen in die Produktion verwenden können.
SIR516DP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR516DP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
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