SIA929DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIA929DJ-T1-GE3

Produktübersicht

12786347

Teilenummer

SIA929DJ-T1-GE3-DG

Hersteller

Vishay Siliconix
SIA929DJ-T1-GE3

Beschreibung

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6

Inventar

1696 Stück Neu Original Auf Lager
Mosfet Array 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
FET, MOSFET-Arrays
SIA929DJ-T1-GE3 Datenblatt
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SIA929DJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays

Hersteller Vishay

Verpackung Tape & Reel (TR)

Reihe TrenchFET®

Produktstatus Active

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguration 2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion Logic Level Gate

Drain zur Quellspannung (Vdss) 30V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 3A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 1.1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 575pF @ 15V

Leistung - Max 7.8W

Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage Surface Mount

Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6 Dual

Gerätepaket für Lieferanten PowerPAK® SC-70-6 Dual

Basis-Produktnummer SIA929

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Herunterladen SIA929DJ-T1-GE3 Produktspezifikation (PDF)
Datenblätter

SIA929DJ-T1-GE3
HTML-Datenblatt

SIA929DJ-T1-GE3-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
REACH-Status Vendor Undefined
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIA929DJ-T1-GE3DKR
SIA929DJ-T1-GE3TR
SIA929DJ-T1-GE3CT
SIA929DJ-T1-GE3-DG
DIGI-Zertifizierung
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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