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SIA929DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
2916 Stück Neu Original Auf Lager
Mosfet Array 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
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SIA929DJ-T1-GE3
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12786347
Teilenummer
SIA929DJ-T1-GE3-DGHersteller
Vishay Siliconix
SIA929DJ-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6Inventar
2916 Stück Neu Original Auf Lager
Mosfet Array 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
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SIA929DJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
Transistoren, FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
64mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
575pF @ 15V
Leistung - Max
7.8W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Basis-Produktnummer
SIA929
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SIA929DJ-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SIA929DJ-T1-GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIA929DJ-T1-GE3DKR
SIA929DJ-T1-GE3TR
SIA929DJ-T1-GE3CT
SIA929DJ-T1-GE3-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Welche Hauptmerkmale hat der Vishay SIA929DJ-T1-GE3 duale P-Kanal-MOSFET?
Der Vishay SIA929DJ-T1-GE3 ist ein dualer P-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V, einem Dauer-Drain-Strom von 4,5 A und einem niedrigen Rds(on) von 64 mΩ. Er verfügt über Logikpegel-Gates und ist für Oberflächenmontageanwendungen im PowerPAK® SC-70-6-Gehäuse konzipiert.
Ist der SIA929DJ-T1-GE3 für Hochstrom-Schaltanwendungen geeignet?
Ja, mit einem maximalen Dauer-Drain-Strom von 4,5 A und einer Leistungsverlustfähigkeit von bis zu 7,8 W ist dieses MOSFET-Array hervorragend für Hochstrom-Schaltungen in verschiedenen elektronischen Schaltungen geeignet.
Welchen Betriebstemperaturbereich hat dieser duale MOSFET?
Der SIA929DJ-T1-GE3 arbeitet zuverlässig im Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ist somit für eine Vielzahl industrieller und Verbraucher-Anwendungen geeignet, die eine Temperaturbeständigkeit erfordern.
Ist der SIA929DJ-T1-GE3 mit Logikpegel-Gates kompatibel?
Ja, dieses MOSFET verfügt über einen Logikpegel-Gate mit einer Schwellen-Voltage (Vgs(th)) von etwa 1,1 V, was eine effiziente Ansteuerung durch Niederspannungssignale ermöglicht.
Welche Verpackung und Compliance-Standards hat dieses MOSFET-Array?
Der SIA929DJ-T1-GE3 ist in einem PowerPAK® SC-70-6-Doppelsoberflächenmontagegehäuse erhältlich und entspricht ROHS3-Standards, was die Einhaltung von Umwelt- und Branchenstandards für Qualität und Sicherheit garantiert.
Qualitätssicherung (QC)
DiGi stellt die Qualität und Echtheit jedes elektronischen Bauteils durch professionelle Inspektionen und Chargenproben sicher. Es garantiert eine zuverlässige Beschaffung, stabile Leistung und die Einhaltung technischer Spezifikationen, wodurch Kunden Versorgungskettenrisiken reduzieren und die Komponenten mit Vertrauen in die Produktion verwenden können.
SIA929DJ-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIA929DJ-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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