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TPHR6503PL1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
68029 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
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TPHR6503PL1,LQ
Produktübersicht
12994845
Teilenummer
TPHR6503PL1,LQ-DGHersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR6503PL1,LQ
Beschreibung
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZInventar
68029 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
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TPHR6503PL1,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.65mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10000 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960mW (Ta), 210W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP Advance (5x5.75)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
TPHR6503PL1
HTML-Datenblatt
TPHR6503PL1,LQ-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-TPHR6503PL1LQDKR
264-TPHR6503PL1LQCT
TPHR6503PL1,LQ(M
264-TPHR6503PL1LQTR
Reviews
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Dec 02, 2025
신속한 배송과 친절한 애프터서비스 덕분에 자주 구매하게 됩니다. 항상 신뢰하고 있습니다.
Dec 02, 2025
대량 구매 시 가격 혜택이 크고, 요청사항에 신속하게 대응해줘서 만족스럽습니다.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
配送が迅速で、サポートも丁寧でした。とても満足です。
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Was ist die Hauptanwendung des Toshiba UMOS9 SOP-ADV N-Kanal-MOSFETs?
Dieses MOSFET ist für Hochstrom-Schaltungen wie Energiemanagement, Motorsteuerungen und Wechselrichtersysteme konzipiert, aufgrund seiner hohen Stromkapazität und niedrigen Rds On.
Ist der Toshiba U-MOSIX-H Serien-MOSFET kompatibel mit gängigen Oberflächenmontage-Designs auf Leiterplatten?
Ja, er verfügt über eine Oberflächenmontage 8-SOP Advance Verpackung, die für standardisierte PCB-Bestückung und platzsparende Designs geeignet ist.
Was sind die wichtigsten elektrischen Spezifikationen dieses N-Kanal-MOSFETs?
Er unterstützt eine Drain-Source-Spannung von 30 V, einen Dauer-Drain-Strom von 150 A bei 25°C und besitzt einen niedrigen Rds On von 0,65 mΩ bei 50 A und 10 V Vgs, was eine effiziente Leistungsleitung gewährleistet.
Kann dieses MOSFET bei hohen Temperaturen betrieben werden, und was ist die maximale Betriebstemperatur?
Ja, es kann zuverlässig bei Temperaturen bis zu 175°C betrieben werden, was es ideal für anspruchsvolle industrielle Leistungsanwendungen macht.
Gibt es eine Garantie oder Lagerverfügbarkeit für Großbestellungen beim Toshiba MOSFET?
Das Produkt ist aktiv vorrätig mit über 68.514 Stück auf Lager. Als Original-Neuprodukt wird es in der Regel mit Herstellergarantie geliefert und unterstützt Großabnehmer.
Qualitätssicherung (QC)
DiGi stellt die Qualität und Echtheit jedes elektronischen Bauteils durch professionelle Inspektionen und Chargenproben sicher. Es garantiert eine zuverlässige Beschaffung, stabile Leistung und die Einhaltung technischer Spezifikationen, wodurch Kunden Versorgungskettenrisiken reduzieren und die Komponenten mit Vertrauen in die Produktion verwenden können.
TPHR6503PL1,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1,LQ PCB symbols & footprints
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