2N5583 Solid State Inc.
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2N5583

Produktübersicht

12938749

Teilenummer

2N5583-DG
2N5583

Beschreibung

PNP SIL RF TO39

Inventar

2202 Stück Neu Original Auf Lager
RF Transistor PNP 30V 500mA 1.3GHz 1W Through Hole TO-39
Menge
Mindestens 1

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2N5583 Technische Spezifikationen

Kategorie Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren

Hersteller Manufacturers

Verpackung Box

Reihe -

Produktstatus Active

Transistor-Typ PNP

Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.) 30V

Frequenz - Übergang 1.3GHz

Geräuschzahl (dB Typ @ f) -

Gewinnen -

Leistung - Max 1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 100mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA

Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)

Art der Montage Through Hole

Paket / Koffer TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Gerätepaket für Lieferanten TO-39

Datenblatt & Dokumente

HTML-Datenblatt

2N5583-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) Not Applicable
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.10.0080

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10
Andere Namen
2383-2N5583
DIGI-Zertifizierung
Blogs & Beiträge