EM 2BV1
EM 2BV1
Sanken Electric USA Inc.
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
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Diode 800 V 1.2A Through Hole
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EM 2BV1

Produktübersicht

13566114

Teilenummer

EM 2BV1-DG
EM 2BV1

Beschreibung

DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL

Inventar

2024 Stück Neu Original Auf Lager
Diode 800 V 1.2A Through Hole
Eingleitdioden
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EM 2BV1 Technische Spezifikationen

Kategorie Dioden, Gleichrichter, Eingleitdioden

Verpackung Tape & Box (TB)

Reihe -

Produktstatus Active

Technologie Standard

Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 800 V

Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1.2A

Spannung - Durchlass (Vf) (Max) @ Wenn 920 mV @ 1.2 A

Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Strom - Sperrleckage @ vr 10 µA @ 800 V

Kapazität @ Vr, F -

Art der Montage Through Hole

Paket / Koffer Axial

Gerätepaket für Lieferanten -

Betriebstemperatur - Sperrschicht -40°C ~ 150°C

Basis-Produktnummer EM 2

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

EM 2B

HTML-Datenblatt

EM 2BV1-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.10.0080

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
EM 2BV1DKRINACTIVE-ND
EM2BV1DKRINACTIVE
EM 2BV1TB
EM 2BV1DKR-ND
EM 2BV1CT
EM2BV1CT
EM 2BV1TB-ND
EM2BV1TB
EM 2BV1-ND
EM 2BV1TR
EM 2BV1DKRINACTIVE
EM 2BV1 DK
EM 2BV1DKR
EM 2BV1DK
EM 2BV1TR-ND
EM 2BV1CT-ND

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