NP50N04YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation
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NP50N04YUK-E1-AY

Produktübersicht

12959021

Teilenummer

NP50N04YUK-E1-AY-DG
NP50N04YUK-E1-AY

Beschreibung

LOW VOLTAGE POWER MOSFET

Inventar

4935 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 40 V 50A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
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Mindestens 1

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NP50N04YUK-E1-AY Technische Spezifikationen

Kategorie FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Verpackung Tape & Reel (TR)

Reihe -

Produktstatus Active

FET-Typ N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss) 40 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 50A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an) 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 25A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V

Vgs (Max) ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 3200 pF @ 25 V

FET-Funktion -

Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 97W (Tc)

Betriebstemperatur 175°C

Grad Automotive

Qualifikation AEC-Q101

Art der Montage Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten 8-HSON (5x5.4)

Paket / Koffer 8-PowerLDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

NP50N04YUK

HTML-Datenblatt

NP50N04YUK-E1-AY-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
REACH-Status REACH Unaffected
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
559-NP50N04YUK-E1-AYCT
559-NP50N04YUK-E1-AYTR
559-NP50N04YUK-E1-AYDKR
-1161-NP50N04YUK-E1-AYCT
DIGI-Zertifizierung
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