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NVMFS6H848NLT1G
onsemi
MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
3349 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 80 V 13A (Ta), 59A (Tc) 3.7W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS6H848NLT1G
Produktübersicht
12939743
Teilenummer
NVMFS6H848NLT1G-DGHersteller
onsemi
NVMFS6H848NLT1G
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFNInventar
3349 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 80 V 13A (Ta), 59A (Tc) 3.7W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS6H848NLT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Ta), 59A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 70µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1420 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 73W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Basis-Produktnummer
NVMFS6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NVMFS6H848NL
HTML-Datenblatt
NVMFS6H848NLT1G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
488-NVMFS6H848NLT1GDKR
488-NVMFS6H848NLT1GCT
488-NVMFS6H848NLT1GTR
Alternative Teile
Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
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5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Welche wichtigsten Eigenschaften hat das onsemi NVMFS6H848NLT1G MOSFET?
Dieses N-Kanal-MOSFET bietet eine Drain-Source-Spannung von 80 V, einen dauerhaften Drain-Strom von bis zu 13 A bei 25 °C und ist in einem kompakten 5-DFN-Gehäuse erhältlich, das für Oberflächenmontage geeignet ist. Es unterstützt außerdem hohe Verlustleistung und arbeitet in einem weiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C.
Ist das onsemi NVMFS6H848NLT1G MOSFET für Automotive-Anwendungen geeignet?
Ja, dieses MOSFET ist nach den AEC-Q101-Standards qualifiziert, was es zuverlässig und geeignet für automotive Umgebungen macht, in denen Haltbarkeit und Leistungsfähigkeit entscheidend sind.
Wie schneidet das onsemi NVMFS6H848NLT1G MOSFET in Bezug auf Energieeffizienz ab?
Mit einem niedrigen Rds On von 8,8 mΩ bei 10 A/10 V bietet es effizientes Schalten mit minimalen Leitungsverlusten. Die Verlustleistung kann bei Gehäusetemperatur bis zu 73 W erreichen – ideal für Hochleistungsanwendungen.
Welche Kompatibilitäts- und Montagemöglichkeiten bietet dieser Oberflächenmontage-MOSFET?
Das Gerät verfügt über ein 5-DFN-Gehäuse (5x6), das für die Oberflächenmontage konzipiert ist und mit Standard-PCB-Fertigungsverfahren kompatibel ist, was es für kompakte elektronische Designs geeignet macht.
Gibt es bei dem onsemi NVMFS6H848NLT1G eine Garantie oder Unterstützung?
Da es sich um ein neues Original-Stock-Produkt handelt, wird dieser MOSFET mit den üblichen Garantien für elektronische Komponenten sowie Unterstützung vom Hersteller und autorisierten Händlern geliefert.
Qualitätssicherung (QC)
DiGi stellt die Qualität und Echtheit jedes elektronischen Bauteils durch professionelle Inspektionen und Chargenproben sicher. Es garantiert eine zuverlässige Beschaffung, stabile Leistung und die Einhaltung technischer Spezifikationen, wodurch Kunden Versorgungskettenrisiken reduzieren und die Komponenten mit Vertrauen in die Produktion verwenden können.
NVMFS6H848NLT1G CAD Models
onsemi NVMFS6H848NLT1G PCB symbols & footprints
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