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NTD360N65S3H
onsemi
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
2900 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
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NTD360N65S3H
Produktübersicht
12964715
Teilenummer
NTD360N65S3H-DGHersteller
onsemi
NTD360N65S3H
Beschreibung
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEInventar
2900 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
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NTD360N65S3H Technische Spezifikationen
Kategorie
Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
916 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NTD360N65S3H
HTML-Datenblatt
NTD360N65S3H-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
488-NTD360N65S3HDKR
488-NTD360N65S3HCT
488-NTD360N65S3HTR
Alternative Teile
Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
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Dec 02, 2025
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Was sind die Hauptmerkmale des NTD360N65S3H Power MOSFET?
Der NTD360N65S3H ist ein N-Kanal MOSFET mit einer Spannungsbewertung von 650 V und einem Dauer-Drainstrom von 10 A. Er verfügt über einen niedrigen Rds On von 360 mΩ und ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen konzipiert, mit einer maximalen Leistungsaufnahme von 83 W bei Tc.
Ist der NTD360N65S3H für Hochspannungs-Schaltanwendungen geeignet?
Ja, dieser MOSFET ist ideal für Hochspannungs-Schaltkreise aufgrund seiner Drain-Source-Spannung von 650 V. Sein robustes Design sorgt für zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.
Unterstützt der NTD360N65S3H Oberflächenmontage?
Absolut, dieser MOSFET ist in einem TO-252 (DPAK)-Gehäuse erhältlich, das für Oberflächenmontage auf Leiterplatten geeignet ist, um kompakte und effiziente Designs zu ermöglichen.
Ist der NTD360N65S3H mit Standard-Gattertreiberspannungen kompatibel?
Ja, er benötigt eine maximale Gattertreiberspannung von 10 V für den optimalen Rds On-Betrieb und unterstützt eine maximale Vgs von ±30 V, was ihn kompatibel mit gängigen Gate-Treibern macht.
Welche Garantie- und Supportoptionen gibt es beim Kauf dieses Power MOSFET?
Der NTD360N65S3H ist neu und originalgetreu vorrätig, entspricht RoHS3. Der Kauf umfasst Standard-Hersteller-Garantien, und das Produkt wird durch autorisierte Händler unterstützt, um Qualitätssicherheit zu gewährleisten.
Qualitätssicherung (QC)
DiGi stellt die Qualität und Echtheit jedes elektronischen Bauteils durch professionelle Inspektionen und Chargenproben sicher. Es garantiert eine zuverlässige Beschaffung, stabile Leistung und die Einhaltung technischer Spezifikationen, wodurch Kunden Versorgungskettenrisiken reduzieren und die Komponenten mit Vertrauen in die Produktion verwenden können.
NTD360N65S3H CAD Models
onsemi NTD360N65S3H PCB symbols & footprints
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