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MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
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FCH043N60

Produktübersicht

12839481

Teilenummer

FCH043N60-DG

Hersteller

onsemi
FCH043N60

Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3

Inventar

1411 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
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FCH043N60 Technische Spezifikationen

Kategorie Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller onsemi

Verpackung -

Reihe SuperFET® II

Produktstatus Obsolete

FET-Typ N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss) 600 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 75A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an) 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 38A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 3.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V

Vgs (Max) ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 12225 pF @ 400 V

FET-Funktion -

Verlustleistung (max.) 592W (Tc)

Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten TO-247-3

Paket / Koffer TO-247-3

Basis-Produktnummer FCH043

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

FCH043N60

HTML-Datenblatt

FCH043N60-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) Not Applicable
REACH-Status REACH Unaffected
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
ONSONSFCH043N60
2156-FCH043N60-OS

Alternative Teile

Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
SIHG64N65E-GE3
Vishay Siliconix
1322
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Lach***icht
Dec 02, 2025
5.0
Jede Erfahrung bei DiGi Electronics bestätigt die hohe Produktverlässlichkeit und Preis-Transparenz.
Inn***ight
Dec 02, 2025
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The packaging quality exceeded my expectations, sturdy and visually appealing at the same time.
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Dec 02, 2025
5.0
I appreciate the company's efforts in using packaging that minimizes environmental impact, paired with quick logistics.
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Was sind die wichtigsten Eigenschaften und Spezifikationen des FCH043N60 MOSFET von onsemi?

Der FCH043N60 ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Spannungsfestigkeit von 600 V und einem Dauer-Drain-Strom von 75 A bei 25°C. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Rds On von 43 mΩ bei 38 A und 10 V Vgs aus, was ihn für Hochspannungsleistungsanwendungen geeignet macht. Das Bauelement ist in einem Durchsteckgehäuse vom Typ TO-247-3 montiert und unterstützt Betriebstemperaturen von -55°C bis 150°C.

Ist der onsemi FCH043N60 MOSFET für Hochspannungs-Schaltanwendungen geeignet?

Ja, der FCH043N60 ist für Hochspannungs-Schaltungen konzipiert, mit einer Drain-Source-Spannung von 600 V und einer Leistungsaufnahme von bis zu 592 W bei Gehäusetemperatur. Damit ist er ideal für Leistungskonvertierung und Wechselrichteranwendungen geeignet.

Ist der FCH043N60 MOSFET kompatibel mit Standard-Gate-Antriebsspannungen?

Ja, dieser MOSFET arbeitet mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±20 V und empfiehlt eine Ansteuerspannung von 10 V, was eine zuverlässige Schaltleistung in verschiedenen Leistungselektroniksystemen sicherstellt.

Welche Vorteile bieten MOSFETs der SuperFET® II-Serie wie der FCH043N60?

SuperFET® II MOSFETs bieten einen niedrigen Rds On, hohe Spannungsfestigkeit und hohe Leistungsableitfähigkeit. Dies verbessert die Effizienz und thermische Leistung bei Schaltanwendungen und hilft, Systemverluste zu reduzieren.

Wo kann ich Unterstützung erhalten oder den FCH043N60 MOSFET kaufen, und was sollte ich bezüglich seiner Verfügbarkeit wissen?

Der FCH043N60 ist vorrätig mit 1.638 Stück, geeignet für verschiedene Hochspannungs-MOSFET-Anwendungen. Obwohl er als veraltet gelistet ist, können Sie ihn bei autorisierten Händlern erwerben oder alternative Bauteile wie SIHG64N65E-GE3 oder IXTQ18N60P in Betracht ziehen.

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DiGi stellt die Qualität und Echtheit jedes elektronischen Bauteils durch professionelle Inspektionen und Chargenproben sicher. Es garantiert eine zuverlässige Beschaffung, stabile Leistung und die Einhaltung technischer Spezifikationen, wodurch Kunden Versorgungskettenrisiken reduzieren und die Komponenten mit Vertrauen in die Produktion verwenden können.

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