PSMN3R5-80YSFX
PSMN3R5-80YSFX
Nexperia USA Inc.
NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
3140 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 80 V 150A (Ta) 294W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
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PSMN3R5-80YSFX

Produktübersicht

12965574

Teilenummer

PSMN3R5-80YSFX-DG
PSMN3R5-80YSFX

Beschreibung

NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,

Inventar

3140 Stück Neu Original Auf Lager
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PSMN3R5-80YSFX Technische Spezifikationen

Kategorie Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller Nexperia

Verpackung Tape & Reel (TR)

Reihe -

Produktstatus Active

FET-Typ N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss) 80 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 150A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an) 7V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 25A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 108 nC @ 10 V

Vgs (Max) ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 7227 pF @ 40 V

FET-Funktion -

Verlustleistung (max.) 294W (Ta)

Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten LFPAK56, Power-SO8

Paket / Koffer SOT-1023, 4-LFPAK

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

PSMN3R5-80YSF

HTML-Datenblatt

PSMN3R5-80YSFX-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
REACH-Status REACH Unaffected
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,500
Andere Namen
934661574115
1727-PSMN3R5-80YSFXCT
5202-PSMN3R5-80YSFXTR
1727-PSMN3R5-80YSFXDKR
1727-PSMN3R5-80YSFXTR

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Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Was sind die wichtigsten Eigenschaften des Nexperience PSMN3R5-80YSFX MOSFET?
Dieses N-Kanal-MOSFET unterstützt Spannungen bis zu 80 V und Ströme bis zu 150 A, mit einem niedrigen Rds On von 3,5 Milliohm, was es für Hochstrom-Leistungsschaltungen ideal macht. Es ist in den Gehäusen Surface Mount LFPAK56 und Power-SO8 erhältlich, was eine effiziente Montage ermöglicht. Die hohe Leistungsfähigkeit bei Wärmeabgabe erreicht bis zu 294 W bei Temperatur, wodurch eine zuverlässige Funktion gewährleistet wird.
Ist der PSMN3R5-80YSFX für Hochstrom-Schaltanwendungen in Netzteilen geeignet?
Ja, mit einem dauerhaften Drain-Strom von 150 A und einem niedrigen Rds On ist dieses MOSFET ideal für Hochstrom-Schaltaufgaben in Stromrichtern und Netzteilkreisen. Es bietet schnelle Schaltzeiten und eine effiziente thermische Steuerung, um die Energieeffizienz zu maximieren.
Welche Kompatibilitäts- und Montageoptionen bietet dieses MOSFET?
Der PSMN3R5-80YSFX ist für Oberflächenmontage ausgelegt, mit Gehäusen in LFPAK56 und Power-SO8. Er ist kompatibel mit gängigen Oberflächenmontageverfahren auf Leiterplatten und eignet sich für verschiedenste industrielle sowie Unterhaltungselektronik-Geräte.
Wie sorgt der PSMN3R5-80YSFX für Zuverlässigkeit und Konformität?
Dieses MOSFET erfüllt die RoHS3-Richtlinien, ist REACH-konform und verfügt über einen Feuchtigkeitssensitivitätsgrad von 1, was die Einhaltung umweltbezogener Standards garantiert. Es ist für den Einsatz in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C ausgelegt, was es für herausfordernde Betriebsbedingungen robust macht.
Welche Vorteile bietet der PSMN3R5-80YSFX für Design und Fertigung elektronischer Geräte?
Dieses Bauteil bietet hohe Strombelastbarkeit, niedrigen Rds On und effiziente Wärmeableitung, was die Gesamteffizienz und thermische Leistung von Systemen verbessert. Durch seine zuverlässige Bauweise und standardisierte Verpackung ist es einfach in verschiedene elektronische Designs zu integrieren.
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