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PSMN013-40VLDX
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
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Mosfet Array 40V 42A (Ta) 46W (Ta) Surface Mount LFPAK56D
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PSMN013-40VLDX

Produktübersicht

12950398

Teilenummer

PSMN013-40VLDX-DG
PSMN013-40VLDX

Beschreibung

MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

Inventar

3371 Stück Neu Original Auf Lager
Mosfet Array 40V 42A (Ta) 46W (Ta) Surface Mount LFPAK56D
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PSMN013-40VLDX Technische Spezifikationen

Kategorie Transistoren, FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays

Hersteller Nexperia

Verpackung Tape & Reel (TR)

Reihe -

Produktstatus Active

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion -

Drain zur Quellspannung (Vdss) 40V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 42A (Ta)

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 13.6mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 2.2V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 19.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 1160pF @ 25V

Leistung - Max 46W (Ta)

Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage Surface Mount

Paket / Koffer SOT-1205, 8-LFPAK56

Gerätepaket für Lieferanten LFPAK56D

Basis-Produktnummer PSMN013

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

PSMN013-40VLD

HTML-Datenblatt

PSMN013-40VLDX-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 3 (168 Hours)
REACH-Status REACH Unaffected
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,500
Andere Namen
1727-PSMN013-40VLDXTR
934662825115
5202-PSMN013-40VLDXTR
1727-PSMN013-40VLDXDKR
1727-PSMN013-40VLDXCT

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Pap***Doux
Dec 02, 2025
5.0
Je recommande fortement pour la qualité et le rapport qualité-prix.
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Was ist die maximale Drain-Source-Spannung dieses MOSFET-Arrays?

Dieses MOSFET-Array hat eine maximale Drain-Source-Spannung (Vds) von 40 Volt, geeignet für verschiedenste Anwendungen mit niedriger bis mittlerer Spannung.

Ist dieses MOSFET für Hochstrom-Schaltanwendungen geeignet?

Ja, es kann einen Dauer-Drain-Strom von bis zu 42A bei 25°C bewältigen, was es für Hochstrom-Schaltaufgaben geeignet macht.

Welche Vorteile bietet die Verwendung dieses MOSFET-Arrays in meinem Schaltkreis-Design?

Dieses MOSFET-Array bietet einen niedrigen Rds(on) von 13,6 mΩ, eine hohe Leistungsaufnahme von 46 W und eine kompakte SMD-Baueinheit im SOT-1205-Gehäuse, was effiziente und platzsparende Designs ermöglicht.

Ist dieses MOSFET mit Standard-SMT-Bestückungsprozessen kompatibel?

Ja, es verfügt über ein Surface-Mount-Design mit einem LFPAK56D-Gehäuse, das mit gängigen SMT-Methoden einfach integriert werden kann.

Was sind die wichtigsten Compliance- und Lagerungsspezifikationen für dieses MOSFET-Array?

Dieses MOSFET erfüllt RoHS3-Richtlinien, hat eine Moisture Sensitivity Level (MSL) von 3 (168 Stunden) und ist für verschiedene umweltregulierte Anwendungen geeignet.

Qualitätssicherung (QC)

DiGi stellt die Qualität und Echtheit jedes elektronischen Bauteils durch professionelle Inspektionen und Chargenproben sicher. Es garantiert eine zuverlässige Beschaffung, stabile Leistung und die Einhaltung technischer Spezifikationen, wodurch Kunden Versorgungskettenrisiken reduzieren und die Komponenten mit Vertrauen in die Produktion verwenden können.

Qualitätssicherung
Fälschungs- und Schadensprävention

Fälschungs- und Schadensprävention

Umfassende Prüfung zur Identifizierung gefälschter, aufgearbeiteter oder defekter Komponenten, um sicherzustellen, dass nur authentische und konforme Teile geliefert werden.

Visuelle und Verpackungsprüfung

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Elektrische Leistungsprüfung

Überprüfung des Erscheinungsbilds der Komponente, Markierungen, Datencodes, Verpackungsintegrität und Konsistenz des Labels, um Rückverfolgbarkeit und Konformität sicherzustellen.

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