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IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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IPP041N12N3GXKSA1
Produktübersicht
12803539
Teilenummer
IPP041N12N3GXKSA1-DGHersteller
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Inventar
200457 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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IPP041N12N3GXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Verpackung
Tube
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13800 pF @ 60 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP041
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
HTML-Datenblatt
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Was sind die Hauptmerkmale des Infineon OptiMOS™ N-Kanal-MOSFETs (IPP041N12N3GXKSA1)?
Dieser MOSFET unterstützt eine Drain-Source-Spannung von 120V und einen Dauerlaststrom von 120A bei 25°C, mit einem niedrigen Rds On von 4,1 mΩ, was ihn für Hochleistungs-Schaltanwendungen geeignet macht. Er ist mit einem TO-220-3-Gehäuse versehen, um eine einfache Montage und zuverlässige Leistung zu gewährleisten.
Für welche Anwendungen eignet sich dieser 120V 120A MOSFET?
Dieser MOSFET ist ideal für Netzteile, Motorantriebe und Hochstrom-Schaltkreise, bei denen effizientes Energiemanagement und thermische Leistungsfähigkeit entscheidend sind. Sein robustes Design sorgt für Langlebigkeit in anspruchsvollen elektronischen Systemen.
Ist dieser N-Kanal-MOSFET mit bestehenden Elektronik-Designs kompatibel?
Ja, der IPP041N12N3GXKSA1 ist mit Standard-Gate-Ansteuerungsspannungen kompatibel und verfügt über eine Gate-Schwellenspannung von 4V, was ihn für verschiedene Schaltnetzteil-Designs und eingebettete Systeme geeignet macht.
Welche Vorteile bieten Infineons OptiMOS™-Serien-MOSFETs?
OptiMOS™-MOSFETs sind bekannt für ihren niedrigen Rds On, hohe Effizienz und exzellente thermische Leistungsfähigkeit, was dazu beiträgt, den Energieverlust zu minimieren und die Gesamtlanglebigkeit des Systems zu verbessern.
Welche Garantie und welchen Support bietet dieses MOSFET-Produkt?
Als aktives und RoHS3-konformes Produkt wird der MOSFET vom Hersteller unterstützt und durch Qualitätsgarantie abgesichert. Es wird direkt ab Lager geliefert, um eine schnelle Verfügbarkeit für Ihre Projekte zu gewährleisten.
Qualitätssicherung (QC)
DiGi stellt die Qualität und Echtheit jedes elektronischen Bauteils durch professionelle Inspektionen und Chargenproben sicher. Es garantiert eine zuverlässige Beschaffung, stabile Leistung und die Einhaltung technischer Spezifikationen, wodurch Kunden Versorgungskettenrisiken reduzieren und die Komponenten mit Vertrauen in die Produktion verwenden können.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
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