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BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
1636 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
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BSZ042N06NSATMA1
Produktübersicht
12799633
Teilenummer
BSZ042N06NSATMA1-DGHersteller
Infineon Technologies
BSZ042N06NSATMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSONInventar
1636 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
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BSZ042N06NSATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 36µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8-FL
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSZ042
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
BSZ042N06NS
HTML-Datenblatt
BSZ042N06NSATMA1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSZ042N06NSCT-DG
BSZ042N06NSATMA1CT
BSZ042N06NSTR
BSZ042N06NS-DG
BSZ042N06NSATMA1DKR
2156-BSZ042N06NSATMA1TR
SP000917418
BSZ042N06NS
BSZ042N06NSDKR
BSZ042N06NSATMA1TR
BSZ042N06NSTR-DG
BSZ042N06NSCT
BSZ042N06NSDKR-DG
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Was sind die wichtigsten Eigenschaften des Infineon BSZ042N06NSATMA1 MOSFETs?
Der BSZ042N06NSATMA1 ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V, der Ströme von 17 A (Ta) und 40 A (Tc) bewältigen kann. Er ist für Hochleistungsanwendungen auf Leiterplatten konzipiert und zeichnet sich durch niedrigen Rds On sowie hohe Leistungsaufnahme aus, was ihn ideal für Leistungsschalteranwendungen macht.
Ist der Infineon BSZ042N06NSATMA1 MOSFET mit gängigen elektronischen Geräten kompatibel?
Ja, dieser MOSFET ist mit verschiedenen elektronischen Geräten kompatibel, die Hochstrom-Schaltfunktionen erfordern, insbesondere in 60 V-Netzwerken, dank seines Oberflächenmontagegehäuses und seiner zuverlässigen technischen Spezifikationen.
Welche Vorteile bietet der Einsatz des OptiMOS™ BSZ042N06NSATMA1 MOSFETs?
Die OptiMOS™-Serie bietet niedrigen Rds On, hohe Zuverlässigkeit und effiziente Wärmeableitung. Das verbessert die Schaltungsleistung, erhöht die Energieeffizienz und vereinfacht das thermische Management.
Kann der BSZ042N06NSATMA1 MOSFET bei extremen Temperaturen betrieben werden?
Ja, dieser MOSFET kann im Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C (TJ) eingesetzt werden, was ihn für anspruchsvolle Anwendungen in extremen Umgebungen geeignet macht.
Wie kann ich den BSZ042N06NSATMA1 MOSFET kaufen und technische Unterstützung erhalten?
Dieser MOSFET ist sofort lieferbar, verpackt in Tape & Reel. Für technische Beratung oder Großbestellungen wenden Sie sich an autorisierte Händler oder direkt an Infineon, um eine korrekte Anwendung und Unterstützung zu gewährleisten.
Qualitätssicherung (QC)
DiGi stellt die Qualität und Echtheit jedes elektronischen Bauteils durch professionelle Inspektionen und Chargenproben sicher. Es garantiert eine zuverlässige Beschaffung, stabile Leistung und die Einhaltung technischer Spezifikationen, wodurch Kunden Versorgungskettenrisiken reduzieren und die Komponenten mit Vertrauen in die Produktion verwenden können.
BSZ042N06NSATMA1 CAD Models
Infineon Technologies BSZ042N06NSATMA1 PCB symbols & footprints
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