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HUF75645S3ST_Q
HUF75645S3ST_Q
Fairchild Semiconductor
N CHANNEL ULTRAFET 100V, 75A, 1
1132 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 100 V 75A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D2PAK
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HUF75645S3ST_Q

Produktübersicht

12941824

Teilenummer

HUF75645S3ST_Q-DG

Hersteller

Fairchild Semiconductor
HUF75645S3ST_Q

Beschreibung

N CHANNEL ULTRAFET 100V, 75A, 1

Inventar

1132 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 100 V 75A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D2PAK
Einzel-FETs, MOSFETs
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HUF75645S3ST_Q Technische Spezifikationen

Kategorie Transistoren, FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Verpackung Bulk

Reihe UltraFET™

Produktstatus Active

FET-Typ N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss) 100 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 75A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an) 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 238 nC @ 20 V

Vgs (Max) ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 3790 pF @ 25 V

Verlustleistung (max.) 310W (Tc)

Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten D2PAK

Paket / Koffer TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

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HTML-Datenblatt

HUF75645S3ST_Q-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
REACH-Status Vendor Undefined
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
72
Andere Namen
FAIFSCHUF75645S3ST_Q
2156-HUF75645S3ST_Q

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ISO 2045001_2018
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ESD Certificate
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