AOD2610E
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 46A TO252
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AOD2610E

Produktübersicht

12844965

Teilenummer

AOD2610E-DG
AOD2610E

Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 46A TO252

Inventar

200400 Stück Neu Original Auf Lager
N-Channel 60 V 19A (Ta), 46A (Tc) 6.2W (Ta), 59.5W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
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AOD2610E Technische Spezifikationen

Kategorie FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Verpackung Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Reihe AlphaSGT™

Produktstatus Active

FET-Typ N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss) 60 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 19A (Ta), 46A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an) 4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 2.4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V

Vgs (Max) ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds 1100 pF @ 30 V

FET-Funktion -

Verlustleistung (max.) 6.2W (Ta), 59.5W (Tc)

Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten TO-252 (DPAK)

Paket / Koffer TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Basis-Produktnummer AOD26

Datenblatt & Dokumente

Produkt-Zeichnungen

TO252 (DPAK) Pkg Drawing

Datenblätter

AO(D,I,Y)2610E

HTML-Datenblatt

AOD2610E-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
REACH-Status REACH Unaffected
ECCN (Englisch) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
800-3742-2
800-3742-1
5202-AOD2610ETR
800-3742-6

Alternative Modelle

Teilenummer
HERSTELLER
VERFÜGBARE ANZAHL
TEILNUMMER
Einheitspreis
ERSATZART
NVD5C668NLT4G
onsemi
10400
NVD5C668NLT4G-DG
6.1122
MFR Recommended
SUD50N06-09L-E3
Vishay Siliconix
23300
SUD50N06-09L-E3-DG
1.4409
MFR Recommended
STD70N6F3
STMicroelectronics
15365
STD70N6F3-DG
0.7909
MFR Recommended
SQD50N06-09L_GE3
Vishay Siliconix
5809
SQD50N06-09L_GE3-DG
2.2329
MFR Recommended
FDD10AN06A0
onsemi
27700
FDD10AN06A0-DG
2.1343
MFR Recommended

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Was sind die wichtigsten Merkmale des Alpha-and-Omega-Halbleiter-MOSFETs AOD2610E?
Der AOD2610E ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60 V, einem Dauer-Drain-Strom von 19 A (bei 25 °C) und einer Leistungsverluste von bis zu 6,2 W. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Rds On aus und ist für Oberflächenmontage im TO-252-Gehäuse konzipiert, was ihn für Hochstromanwendungen geeignet macht.
Ist der AOD2610E für Hochleistungs-Schaltanwendungen geeignet?
Ja, mit einer hohen Strombelastbarkeit von bis zu 46 A bei Pulsschaltungen und niedrigem Rds On ist der AOD2610E ideal für Hochleistungsschaltungen, Motorsteuerung und Energieverwaltung. Seine robuste thermische Leistungsfähigkeit sorgt für zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen.
Welche Kompatibilität und Treibspannungsanforderungen hat dieses MOSFET?
Der AOD2610E arbeitet effizient mit einer Gate-Treibspannung von mindestens 4,5 V bis maximal 10 V, was eine Kompatibilität mit Standard-Logiktreibern gewährleistet. Er unterstützt Ansteuerspannungen bis zu ±20 V, wodurch vielseitige Schaltungsdesigns ermöglicht werden.
Entspricht der AOD2610E Umweltstandards und ist für Oberflächenmontage geeignet?
Ja, der AOD2610E ist RoHS3-konform und somit umweltfreundlich. Er wird im Standard-TO-252-DPAK-Gehäuse für Oberflächenmontage geliefert, was eine kompakte und zuverlässige Montage auf Leiterplatten in elektronischen Baugruppen ermöglicht.
Wo kann ich den AOD2610E kaufen und welche Garantie oder Unterstützung gibt es?
Der AOD2610E ist vorrätig und umfasst einen großen Lagerbestand von 200.818 Einheiten. Es handelt sich um ein neues Originalprodukt, das durch den Hersteller unterstützt wird und in der Regel durch Standardgarantien abgedeckt ist. Für spezifische Garantie- und After-Sales-Leistungen wenden Sie sich bitte an Ihren Händler.
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